Rohstoff-Handelsplattform

RFP-LDMOS 9

High Power RF LDMOS FET, 190 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz

Spezifikationen

Brand Infineon
Schedule B 8542330000
HTSN 8542330001
SKU: PTAB182002FCV1R0XTMA1