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RFP-LD10M
RFP-LD10M
High Power RF LDMOS FET, 140 W, 28 V, 1880 – 1920 MHz, 2010 – 2025 MHz
Spezifikationen
Brand
Infineon
Schedule B
8541290080
HTSN
8541290075
SKU:
PXAC201602FCV1R0XTMA1
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