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RFP-LD10M
RFP-LD10M
High Power RF LDMOS FET, 80 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz
Spezifikationen
Brand
Infineon
Schedule B
8542330000
HTSN
8542330001
SKU:
PTAC210802FCV1R0XTMA1
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